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Revêtement SiC/enduit de substrat de graphite pour semi-conducteur

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Attributs

1Contenu Al2O3 (%)
1Contenu de CaO (%)
1Contenu CrO (%)
1Contenu MgO (%)
99Contenu de Sic (%)
1Contenu SiO2 (%)
Point d'origine:Inner Mongolia, China
Marque nom:AL-R
Matériel:Carbure de silicium (SiC)
Service de traitement:Flexion, Soudage, Poinçonnage, Déroulage, Coupe, Moulage
Caractère réfractaire (degré):Commun (1580°< Réfractarité < 1770°)
Forme:Plaque
Numéro de Type:Ailan
Taille:Customerized
Taille du grain:2 ~ 10um
Résistance à la flexion:415Mpa
Expansion thermique 10-6/K:4.5
Conductivité thermique:300 W/mK
Module de Young:430 Gpa

Caractéristiques du produit

Contenu Al2O3 (%)
1
Contenu de CaO (%)
1
Contenu CrO (%)
1
Contenu MgO (%)
1
Contenu de Sic (%)
99
Contenu SiO2 (%)
1
Point d'origine
Inner Mongolia, China
Marque nom
AL-R
Matériel
Carbure de silicium (SiC)
Service de traitement
Flexion, Soudage, Poinçonnage, Déroulage, Coupe, Moulage
Caractère réfractaire (degré)
Commun (1580°< Réfractarité < 1770°)
Forme
Plaque
Numéro de Type
Ailan
Taille
Customerized
Taille du grain
2 ~ 10um
Résistance à la flexion
415Mpa
Expansion thermique 10-6/K
4.5
Conductivité thermique
300 W/mK
Module de Young
430 Gpa

Emballage et livraison

vente Unités
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