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Transistor à effet de champ à petit signal FDS6930B

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Attributs

brand newMarque nom
FDS6930BNuméro de Type
Le plus récentCode Date de fabrication
JapanPoint d'origine
Transistor à effet de champ à petit signal, 5.5A, 30V, 2 éléments, canal N, MOSFETDescription
Bande et bobineType de conditionnement
Application:Ordinateur
Type:SMT
Package/Boîte:SMD
Caractéristiques:Norme
Référence croisée:Norme
P/N:Modèle: FDS6930B
Desription3:SMD
Desription4:SOIC
Fiche technique:Contactez-nous
vente Unités:Article unique

Caractéristiques du produit

Marque nom
brand new
Numéro de Type
FDS6930B
Code Date de fabrication
Le plus récent
Point d'origine
Japan
Description
Transistor à effet de champ à petit signal, 5.5A, 30V, 2 éléments, canal N, MOSFET
Type de conditionnement
Bande et bobine
Application
Ordinateur
Type
SMT
Package/Boîte
SMD
Caractéristiques
Norme
Référence croisée
Norme
P/N
Modèle: FDS6930B
Desription3
SMD
Desription4
SOIC
Fiche technique
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vente Unités
Article unique

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