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Transistor à effet de champ à petit signal FDS6930B 30V 5.5A canal N, boîtier SMD pour applications informatiques

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0,0884-2,65 €
Quantité minimale : 1 pièce
Spécification

Caractéristiques

Marque nom

brand new

Référence fabricant

FDS6930B

Point d'origine

Japan

Description

Transistor à effet de champ à faible signal, 5,5 A, 30 V, 2 éléments, canal N, MOSFET

Type demballage

Bande et bobine

Application

Ordinateur

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Caractéristiques du produit

Marque nom
brand new
Référence fabricant
FDS6930B
Point d'origine
Japan
Description
Transistor à effet de champ à faible signal, 5,5 A, 30 V, 2 éléments, canal N, MOSFET
Type demballage
Bande et bobine
Application
Ordinateur
Type
SMT
Boîtier / Paquet
SMD
Caractéristiques
Norme
Référence croisée
Norme
Réf.
FDS6930B
Description3
SMD
Description4
SOIC
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