Électronique intelligente nouveau transistor à Tube IGBT original FGH40N60 DIP FGH40N60SMD 40N60 TO3P TO247

Note de la boutique :4.9

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Shenzhen Smart Electronics Co., Ltd

14 ans

CN

Attributs

transistorType

Général D'amplificationApplication

TraversantsType de paquet

standardConfiguration

PhotoMédias Disponibles

Fabricant originalType de Fournisseur

Package/Boîte:standard

Description:fgh40n60 d'origine

Référence fabricant:FGH40N60SMD

Marque nom:smart

Point d'origine:Guangdong, China

Série:fgh40n60 d'origine

Code date de fabrication:standard

Tension de rupture collecteur-émetteur (max.):standard

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:standard

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:standard

Résistance-socle (R1):standard

Résistance-socle émetteur (R2):standard

Vidange à la tension de la Source (Vdss):standard

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:standard

Rds sur (Max) @ Id, Vgs:standard

Vgs (th) (Max) @ Id:standard

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:standard

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:standard

Fréquence:standard

Courant nominal (ampères):standard

Facteur de bruit:standard

Alimentation-Sortie:standard

Tension Nominale:standard

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):standard

Vgs (Max):standard

Type IGBT:standard

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:standard

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:standard

Entrée:standard

Thermistance NTC:standard

Tension-panne (V (BR) GSS):standard

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):standard

Vidange de courant (Id)-Max:standard

Tension-coupure (VGS off) @ Id:standard

Résistance-RDS (On):standard

Tension-Sortie:standard

Tension-décalage (Vt):standard

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):standard

Courant-vallée (Iv):standard

Courant-Crête:standard

Transistor Type:standard

Type de montage:standard

Caractéristiques du produit

Type

transistor

Application

Général D'amplification

Type de paquet

Traversants

Configuration

standard

Médias Disponibles

Photo

Type de Fournisseur

Fabricant original

Package/Boîte

standard

Description

fgh40n60 d'origine

Référence fabricant

FGH40N60SMD

Marque nom

smart

Point d'origine

Guangdong, China

Série

fgh40n60 d'origine

Code date de fabrication

standard

Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)

standard

Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic

standard

Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce

standard

Résistance-socle (R1)

standard

Résistance-socle émetteur (R2)

standard

Vidange à la tension de la Source (Vdss)

standard

Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c

standard

Rds sur (Max) @ Id, Vgs

standard

Vgs (th) (Max) @ Id

standard

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

standard

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

standard

Fréquence

standard

Courant nominal (ampères)

standard

Facteur de bruit

standard

Alimentation-Sortie

standard

Tension Nominale

standard

Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)

standard

Vgs (Max)

standard

Type IGBT

standard

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

standard

Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

standard

Entrée

standard

Thermistance NTC

standard

Tension-panne (V (BR) GSS)

standard

Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)

standard

Vidange de courant (Id)-Max

standard

Tension-coupure (VGS off) @ Id

standard

Résistance-RDS (On)

standard

Tension-Sortie

standard

Tension-décalage (Vt)

standard

Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)

standard

Courant-vallée (Iv)

standard

Courant-Crête

standard

Transistor Type

standard

Type de montage

standard

Type

Autre

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vente Unités

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