Disque SSD pour SAMSUNG MZ-V8P1T0BW 1 To 980 PRO NVMe M.2 SSD PCIe Gen 4.0 DDR4 SDRAM Chiffrement AES 256 bits
Disque SSD pour SAMSUNG MZ-V8P1T0BW 1 To 980 PRO NVMe M.2 SSD PCIe Gen 4.0 DDR4 SDRAM Chiffrement AES 256 bitsNote de la boutique :4.3
(1341 avis)
Attributs
InterneType
SSDModèle
BureauApplication
2,5 "Taille
SATAType d'interface
1 ToCapacité de HDD
Vitesse de lecture:601-700 MO/S
Vitesse d'écriture:601-700 MO/S
Vitesse:15000rpm
Cachette:8 Mo
Statut de Produits:Nouveau
Marque nom:OEM
Moyenne Seek temps:2.0 MS
Interface taux:12 gb/s
Nombre de HD:1 pc
Condition de l'article:Nouveau
Matériel de la coquille:Métal
Dispose d'une alimentation externe:Pas de
Port d'extension:SATA
Moule privé:NON
Poids ( y compris emballage ):82 g
Seul disque capacité:1000 GB
Sans fil:OUI
Paquet:Oui
Noise Level:600 MB/s
Point d'origine:Guangdong, China
Numéro de Type:MZ-V8P1T0BW
Appliquer:Client PC, console de jeu
Forme:M.2 (2280)
Interface:PCIe Gen 4.0x4, NVMe 2.0
NAND flash:POUR SAMSUNG V-NAND MLC 3 bits
Contrôleur:POUR le contrôleur auto-développé de SAMSUNG
Cache:POUR la SDRAM DDR4 basse puissance de 1 Go de SAMSUNG
Lecture séquentielle:Jusqu'à 7 450 MB/s
Écritures séquentielles:Jusqu'à 6 900 MB/s
Consommation moyenne de puissance (niveau du système):* Moyenne: 5.4W * Max: 7.8W
Tension admissible:3.3 V ± 5% de tension admissible
Caractéristiques du produit
Type
Interne
Modèle
SSD
Application
Bureau
Taille
2,5 "
Type d'interface
SATA
Capacité de HDD
1 To
Vitesse de lecture
601-700 MO/S
Vitesse d'écriture
601-700 MO/S
Vitesse
15000rpm
Cachette
8 Mo
Statut de Produits
Nouveau
Marque nom
OEM
Moyenne Seek temps
2.0 MS
Interface taux
12 gb/s
Nombre de HD
1 pc
Condition de l'article
Nouveau
Matériel de la coquille
Métal
Dispose d'une alimentation externe
Pas de
Port d'extension
SATA
Moule privé
NON
Poids ( y compris emballage )
82 g(2.89oz)
Seul disque capacité
1000 GB
Sans fil
OUI
Paquet
Oui
Noise Level
600 MB/s
Point d'origine
Guangdong, China
Numéro de Type
MZ-V8P1T0BW
Appliquer
Client PC, console de jeu
Forme
M.2 (2280)
Interface
PCIe Gen 4.0x4, NVMe 2.0
NAND flash
POUR SAMSUNG V-NAND MLC 3 bits
Contrôleur
POUR le contrôleur auto-développé de SAMSUNG
Cache
POUR la SDRAM DDR4 basse puissance de 1 Go de SAMSUNG
Lecture séquentielle
Jusqu'à 7 450 MB/s
Écritures séquentielles
Jusqu'à 6 900 MB/s
Consommation moyenne de puissance (niveau du système)
* Moyenne: 5.4W * Max: 7.8W
Tension admissible
3.3 V ± 5% de tension admissible
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
8.01X2.5X0.8 cm
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Options de personnalisation
Très(+ à partir de +43,95 €/pièce/Commande minimale : 500 pièces)
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Description des produits par le fournisseur
Personnalisable
Quantité minimale : 1 pièce
87,02 €
Options
SélectionnerCouleur: Noir
Capacité: 1 To
1 To
Capacité de disque transistorisé
240G
Personnalisation
Très+43,95 €/pièce (Quantité min. : 500 pièces)
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