Disque à semi-conducteurs pour SAMSUNG MZ-V8V500BW 500GB SSD 980 NVMe M.2 PCIe Gen 3.0x4 3 bits MLC HMB AES cryptage 256 bits
Note de la boutique :3.4
(240 avis)
Attributs
InterneType
SSDStyle
BureauDomaine dapplication
2,5 "Taille
SATAType dinterface
500 Go - 750 GoCapacité du disque dur
Vitesse de lecture:601-700 MO/S
Vitesse décriture:601-700 MO/S
Vitesse:15000rpm
Mémoire cache:8 Mo
État des stocks:Nouveau
Marque:FOR SAMSUNG
Temps daccès moyen:2.0 MS
Débit de linterface:12 gb/s
Nombre de ports HD:1 pc
État de larticle:Nouveau
Matériau de la coque:Métal
Avec alimentation externe:Pas de
Port dextension:SATA
Moule privé:NON
Poids (emballage inclus):82 g
Capacité par disque:1000 GB
Sans fil:OUI
Conditionnement:Oui
Niveau sonore:600 MB/s
Lieu dorigine:Guangdong, China
Numéro de modèle:MZ-V8V500BW
appliquer:PC client, console de jeu
forme:M2 (2280)
interface:PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Mémoire flash NAND:POUR SAMSUNG V-NAND MLC 3 bits
contrôleur:Pour le contrôleur auto-développé de SAMSUNG
cache:Pour la SDRAM DDR4 basse consommation de 1 Go de SAMSUNG
Lecture séquentielle:Jusqu'à 7 450 Mo/s
Écritures séquentielles:Jusqu'à 6 900 Mo/s
Consommation électrique moyenne (niveau système):* Moyenne : 5,4 W * Max : 7,8 W
Tension admissible:3,3 V ± 5 % tension admissible
Caractéristiques du produit
Type
Interne
Style
SSD
Domaine dapplication
Bureau
Taille
2,5 "
Type dinterface
SATA
Capacité du disque dur
500 Go - 750 Go
Vitesse de lecture
601-700 MO/S
Vitesse décriture
601-700 MO/S
Vitesse
15000rpm
Mémoire cache
8 Mo
État des stocks
Nouveau
Marque
FOR SAMSUNG
Temps daccès moyen
2.0 MS
Débit de linterface
12 gb/s
Nombre de ports HD
1 pc
État de larticle
Nouveau
Matériau de la coque
Métal
Avec alimentation externe
Pas de
Port dextension
SATA
Moule privé
NON
Poids (emballage inclus)
82 g
Capacité par disque
1000 GB
Sans fil
OUI
Conditionnement
Oui
Niveau sonore
600 MB/s
Lieu dorigine
Guangdong, China
Numéro de modèle
MZ-V8V500BW
appliquer
PC client, console de jeu
forme
M2 (2280)
interface
PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Mémoire flash NAND
POUR SAMSUNG V-NAND MLC 3 bits
contrôleur
Pour le contrôleur auto-développé de SAMSUNG
cache
Pour la SDRAM DDR4 basse consommation de 1 Go de SAMSUNG
Lecture séquentielle
Jusqu'à 7 450 Mo/s
Écritures séquentielles
Jusqu'à 6 900 Mo/s
Consommation électrique moyenne (niveau système)
* Moyenne : 5,4 W * Max : 7,8 W
Tension admissible
3,3 V ± 5 % tension admissible
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
8.01X2.5X0.8 cm
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Quantité minimale : 1 pièce
30,14 €
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Capacité: 500GB
500GB
Capacité SSD
240G
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