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Disque à semi-conducteurs pour SAMSUNG MZ-V8V500BW 500GB SSD 980 NVMe M.2 PCIe Gen 3.0x4 3 bits MLC HMB AES cryptage 256 bits

Note de la boutique :3.4
(240 avis)
Shenzhen Xizhi Computer Technology Co., Ltd.
2 ans
CN

Attributs

InterneType
SSDStyle
BureauDomaine dapplication
2,5 "Taille
SATAType dinterface
500 Go - 750 GoCapacité du disque dur
Vitesse de lecture:601-700 MO/S
Vitesse décriture:601-700 MO/S
Vitesse:15000rpm
Mémoire cache:8 Mo
État des stocks:Nouveau
Marque:FOR SAMSUNG
Temps daccès moyen:2.0 MS
Débit de linterface:12 gb/s
Nombre de ports HD:1 pc
État de larticle:Nouveau
Matériau de la coque:Métal
Avec alimentation externe:Pas de
Port dextension:SATA
Moule privé:NON
Poids (emballage inclus):82 g
Capacité par disque:1000 GB
Sans fil:OUI
Conditionnement:Oui
Niveau sonore:600 MB/s
Lieu dorigine:Guangdong, China
Numéro de modèle:MZ-V8V500BW
appliquer:PC client, console de jeu
forme:M2 (2280)
interface:PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Mémoire flash NAND:POUR SAMSUNG V-NAND MLC 3 bits
contrôleur:Pour le contrôleur auto-développé de SAMSUNG
cache:Pour la SDRAM DDR4 basse consommation de 1 Go de SAMSUNG
Lecture séquentielle:Jusqu'à 7 450 Mo/s
Écritures séquentielles:Jusqu'à 6 900 Mo/s
Consommation électrique moyenne (niveau système):* Moyenne : 5,4 W * Max : 7,8 W
Tension admissible:3,3 V ± 5 % tension admissible
Produits en vedette

Vitesse de lecture séquentielle: Avec une vitesse de lecture séquentielle allant jusqu'à 7 450 Mo/s, ce SSD assure un accès rapide aux données et améliore la réactivité du système.

Vitesse d'écriture séquentielle: Une vitesse d'écriture séquentielle allant jusqu'à 6 900 Mo/s permet un transfert de données rapide et une gestion efficace des fichiers.

Chiffrement AES 256 bits: Le chiffrement AES 256 bits offre une sécurité des données robuste, protégeant les informations sensibles contre les accès non autorisés.

Caractéristiques du produit

Type
Interne
Style
SSD
Domaine dapplication
Bureau
Taille
2,5 "
Type dinterface
SATA
Capacité du disque dur
500 Go - 750 Go
Vitesse de lecture
601-700 MO/S
Vitesse décriture
601-700 MO/S
Vitesse
15000rpm
Mémoire cache
8 Mo
État des stocks
Nouveau
Marque
FOR SAMSUNG
Temps daccès moyen
2.0 MS
Débit de linterface
12 gb/s
Nombre de ports HD
1 pc
État de larticle
Nouveau
Matériau de la coque
Métal
Avec alimentation externe
Pas de
Port dextension
SATA
Moule privé
NON
Poids (emballage inclus)
82 g
Capacité par disque
1000 GB
Sans fil
OUI
Conditionnement
Oui
Niveau sonore
600 MB/s
Lieu dorigine
Guangdong, China
Numéro de modèle
MZ-V8V500BW
appliquer
PC client, console de jeu
forme
M2 (2280)
interface
PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Mémoire flash NAND
POUR SAMSUNG V-NAND MLC 3 bits
contrôleur
Pour le contrôleur auto-développé de SAMSUNG
cache
Pour la SDRAM DDR4 basse consommation de 1 Go de SAMSUNG
Lecture séquentielle
Jusqu'à 7 450 Mo/s
Écritures séquentielles
Jusqu'à 6 900 Mo/s
Consommation électrique moyenne (niveau système)
* Moyenne : 5,4 W * Max : 7,8 W
Tension admissible
3,3 V ± 5 % tension admissible

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
8.01X2.5X0.8 cm

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Quantité minimale : 1 pièce
30,14 €

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Capacité: 500GB

500GB

Capacité SSD

240G

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