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Surface Mount Semiconductor QFN Package NT5CC256M16ER-EK DRAM Memory IC Chip

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Spécification

NT5CC256M16ER-EK

Code de date de fabrication

24+

Caractéristiques

Marque nom

5chips

Référence fabricant

NT5CC256M16ER-EK

Type

Storage Semiconductor

Débit de données

1866MT/s

Taille de La mémoire

4Gbit (256Mx16)

Point d'origine

Guangdong, China

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Caractéristiques du produit

Marque nom
5chips
Référence fabricant
NT5CC256M16ER-EK
Type
Storage Semiconductor
Débit de données
1866MT/s
Taille de La mémoire
4Gbit (256Mx16)
Point d'origine
Guangdong, China
Description
DRAM Memory IC, Storage Semiconductor, 4Gbit 256Mx16 1866Mbps
Type de conditionnement
TFBGA-96
Fonction
Synchronous DDR3L data sttorage, ODT, ZQ calibration, Self-refresh
Application
Tablet, STB, Embedded Equipment, Smart IoT
Température de fonctionnement
0℃ ~ +95℃
Package/Boîte
TFBGA-96 SMD BGA, 96 solder balls
Série
NT5CC256M16ER-EK
Caractéristiques
DDR3L Low Voltage, 1.35V, ODT, ZQ Calibration
Référence croisée
N/A
Chimie de la batterie
N/A
Type de mémoire
DDR3L
Interface de mémoire
16-bit bus width
Courant-approvisionnement (Max)
Refer to datasheet
Technologie
DRAM
Tension D'alimentation
1.35V
Type d'expansion
N/A
Bus directionnel
Bidirectional bus
Fréquence de l'horloge
933MHz Core Clock Frequency
Organisation de la mémoire
256M x 16-bit
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
Min 15ns; Full Row Cycle (tRC)=47.91ns
Data Rate
1866Mbps (933MHz Core Clock Frequency, Double Data Rate)
Max Operating Current
145mA
I/O Interface
SSTL_135 low voltage interface
Operating Temperature
0℃ ~ +95℃
Package Size
8.0mm(W) x 3.0mm(L) x 1.2mm(Max Thickness)
Ball Pitch
0.8mm(800μm)
MSL Grade
MSL3 Moisture Sensitivity Level

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

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