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Transistors TO-220-3 IXTP3N100D2 Composant électronique en stock

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Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

IXTP3N100D2

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-220-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IXTP3N100D2
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-220-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
Dépauvrisement
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel, Depletion Mode
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1000 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
3A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
5,5 ohms à 1,5 A, 0 V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
37,5 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1020 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N, mode de déplétion
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs