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Transistors TO-236AB PMV280ENEAR Composants de circuits électroniques Originaux

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100-3 099 pièce
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≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

PMV280ENEAR

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-236AB

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
PMV280ENEAR
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 100V 1.1A TO236AB
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-236AB
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
TrenchMOS
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
1,1 A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
385 mOhms à 1,1 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,7 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6,8 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
190 pF @ 50 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.100 kg

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