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Transistors TO-247-3 Variante APT45GP120B2DQ2G Composant Électronique Distributeur Agréé

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Référence fabricant

APT45GP120B2DQ2G

Marque nom

Original

Description

IGBT PT 1200V 113A

Point d'origine

China

Package/Boîte

Variante TO-247-3

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
APT45GP120B2DQ2G
Marque nom
Original
Description
IGBT PT 1200V 113A
Point d'origine
China
Package/Boîte
Variante TO-247-3
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
POWER MOS 7
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
113 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
1200 V
Puissance Max
625 W
Type IGBT
PT
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type d'IGBT
PT
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
113 A
Puissance - Max
625 W
Type d'entrée
Norme

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vente Unités
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