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Composants de transistors TO-247-4 IV2Q12040T4Z, composants électroniques BOM IC en stock

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Référence fabricant

IV2Q12040T4Z

Marque nom

Original

Description

GEN2, MOSFET SiC, 1200V 40mΩ,

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-247-4

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IV2Q12040T4Z
Marque nom
Original
Description
GEN2, MOSFET SiC, 1200V 40mΩ,
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-247-4
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
65A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
52 mOhms à 20 A, 18 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V à 9 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2160 pF à 800 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
18V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
-
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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