UNITE CHANCE CO., LIMITED logo
UNITE CHANCE CO., LIMITED
HK1 an
5/5(1)
Note de la boutique
≤3h
Temps de réponse
≥100%
Taux de livraison dans les délais
33%
Taux de réachat

Marchés principaux: États-Unis d'Amérique, Corée du Sud, Inde, Argentine, Liban

TP65H035G4QS Transistors TOLL Composant électronique BOM IC En stock

Aucun avis pour l'instant
11,59 €
100-3 099 pièce
5,81 €
≥3 100 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

TP65H035G4QS

Marque nom

Original

Description

650 V 46,5 A FET GAN HAUTE TENSION

Point d'origine

China

Package/Boîte

TOLL

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

Expédition

Frais de livraison et date de livraison à négocier. Contactez le fournisseur dès maintenant pour plus d’informations.
Sous-total de l'article
0,00 €
Montant des frais de port
À négocier
Sous-total
0,00 €

Protection des commandes Alibaba.com

Paiements sécurisés

Chaque paiement que vous effectuez sur Alibaba.com est sécurisé par un cryptage SSL strict et des protocoles de protection des données PCI DSS.

Protection de remboursement

Demandez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, est introuvable ou arrive avec des problèmes liés au produit

Seules les commandes passées et payées via Alibaba.com sont protégées gratuitement par

Finance Service

Payez en 4X sans frais avec

Caractéristiques du produit

Référence fabricant
TP65H035G4QS
Marque nom
Original
Description
650 V 46,5 A FET GAN HAUTE TENSION
Point d'origine
China
Package/Boîte
TOLL
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
SuperGaN
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
46,5 A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
41 mOhms à 30 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,8 V à 1 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF à 400 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
GaNFET (nitrure de gallium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Signaler une activité suspecte
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs