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Transistors 24-SMPD MMIX1F44N100Q3 Composant électronique Fabricant Canal

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Caractéristiques

Référence fabricant

MMIX1F44N100Q3

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 1000V 30A 24SMPD

Point d'origine

China

Package/Boîte

24-SMPD

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
MMIX1F44N100Q3
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 1000V 30A 24SMPD
Point d'origine
China
Package/Boîte
24-SMPD
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
HiPerFET
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1000 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
30A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
245 mOhms à 22 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
6,5 V à 8 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
264 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
13 600 pF à 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs