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Transistors 3-UDFN à plaquette exposée DXTN5860DFDB-7 – Acheter en ligne – Composants électroniques – Distributeur agréé

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Caractéristiques

Référence fabricant

DXTN5860DFDB-7

Marque nom

Original

Description

TRANS NPN 60V 6A UDFN2020-3

Point d'origine

China

Package/Boîte

3-UDFN avec pad exposé

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DXTN5860DFDB-7
Marque nom
Original
Description
TRANS NPN 60V 6A UDFN2020-3
Point d'origine
China
Package/Boîte
3-UDFN avec pad exposé
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
6 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
60 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
315 mV à 300 mA, 6 A
Courant-coupure de collecteur (Max)
100nA
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
280 à 500 mA, 2 V
Puissance Max
690 mW
Transistor Type
NPN
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de transistor
NPN
Fréquence - Transition
115MHz

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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