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Transistors 3-XDFN à pad exposé PBSS4130QAZ – Acheter en ligne des composants électroniques BOM IC en stock

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Référence fabricant

PBSS4130QAZ

Marque nom

Original

Description

TRANS NPN 30V 1A DFN1010D-3

Point d'origine

China

Package/Boîte

3-XDFN avec pad exposé

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
PBSS4130QAZ
Marque nom
Original
Description
TRANS NPN 30V 1A DFN1010D-3
Point d'origine
China
Package/Boîte
3-XDFN avec pad exposé
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
1 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
30 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
245 mV à 50 mA, 1 A
Courant-coupure de collecteur (Max)
100 nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 à 1A, 2V
Puissance Max
325 mW
Transistor Type
NPN
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
En vrac
Type de transistor
NPN
Fréquence - Transition
190MHz

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
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