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Transistors 6-WEMT RW1A030APT2CR Composants électroniques BOM IC En stock

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Caractéristiques

Référence fabricant

RW1A030APT2CR

Marque nom

Original

Description

MOSFET P-CH 12V 3A 6WEMT

Point d'origine

China

Package/Boîte

6-WEMT

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
RW1A030APT2CR
Marque nom
Original
Description
MOSFET P-CH 12V 3A 6WEMT
Point d'origine
China
Package/Boîte
6-WEMT
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
12 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
3A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
42 mOhms à 3 A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2700 pF @ 6 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
1,5 V, 4,5 V
Vgs (Max)
-8V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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0.1 kg

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