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Transistors 6-XFDFN à puce exposée PQMD2Z – Achetez des composants électroniques en ligne – Service complet original

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Caractéristiques

Référence fabricant

PQMD2Z

Marque nom

Original

Description

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

6-XFDFN avec pad exposé

Série

-

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
PQMD2Z
Marque nom
Original
Description
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
6-XFDFN avec pad exposé
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
100mA
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
50V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
150 mV à 500 µA, 10 mA
Courant-coupure de collecteur (Max)
1µA
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 à 5 mA, 5 V
Puissance Max
230mW
Résistance-socle (R1)
22 kΩ
Résistance-socle émetteur (R2)
22 kΩ
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel, Vrac
Type de transistor
1 NPN, 1 PNP - Pré-biasés (double)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
100mA
Fréquence - Transition
230MHz, 180MHz
Puissance - Max
230mW

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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