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Transistors 9-WDFN NTTFSS1D1N02P1E Composants électroniques Distributeur agréé

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1,82 €
100-3 099 pièce
0,9099 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

NTTFSS1D1N02P1E

Marque nom

Original

Description

25V PT11E EN BOÎTIER SD 3X3

Point d'origine

China

Package/Boîte

9-WDFN (3.3x3.3)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NTTFSS1D1N02P1E
Marque nom
Original
Description
25V PT11E EN BOÎTIER SD 3X3
Point d'origine
China
Package/Boîte
9-WDFN (3.3x3.3)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
25 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
39A (Ta), 264A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
0,85 mOhm à 27 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 934µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4360 pF à 13 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±16V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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