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Transistors APTGT100H170G SP6 Acheter des composants électroniques en ligne en stock

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APTGT100H170G

Marque nom

Original

Description

MODULE IGBT 1700V 150A 560W SP6

Point d'origine

China

Package/Boîte

SP6

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
APTGT100H170G
Marque nom
Original
Description
MODULE IGBT 1700V 150A 560W SP6
Point d'origine
China
Package/Boîte
SP6
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
150 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
1700 V
Courant-coupure de collecteur (Max)
350 µA
Puissance Max
560 W
Type IGBT
Trench Field Stop
Configuration
D'inverseur De Pont complet
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
9 nF @ 25 V
Entrée
Standard
Thermistance NTC
Non
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
En vrac
Type d'IGBT
Arrêt de tranchée
Configuration
Onduleur en pont complet
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
150 A
Puissance - Max
560 W
Entrée
Norme

Emballage et livraison

vente Unités
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