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Transistors ATPAK NVATS5A304PLZT4G Composants électroniques en stock

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Référence fabricant

NVATS5A304PLZT4G

Marque nom

Original

Description

MOSFET canal P 60V 120A ATPAK

Point d'origine

China

Package/Boîte

ATPAK

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NVATS5A304PLZT4G
Marque nom
Original
Description
MOSFET canal P 60V 120A ATPAK
Point d'origine
China
Package/Boîte
ATPAK
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
120A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
6,5 mOhms à 50 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,6 V à 1 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
13 000 pF à 20 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.1 kg

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