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Transistors CG2H80060D-GP4 Composants électroniques IC en stock

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Référence fabricant

CG2H80060D-GP4

Marque nom

Original

Description

MOSFET RF HEMT 28V DIE

Point d'origine

China

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GaN

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
CG2H80060D-GP4
Marque nom
Original
Description
MOSFET RF HEMT 28V DIE
Point d'origine
China
Package/Boîte
Matrice
Série
GaN
Code date de fabrication
NEUF
Fréquence-Transition
8GHz
Courant nominal (ampères)
14A
Alimentation-Sortie
60W
Tension Nominale
120 V
Configuration
-
Type de montage
Standard
Emballage
Plateau
Technologie
HEMT
Configuration
-
Fréquence
8GHz
Gain
12dB

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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