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Transistors DID3A2N65 TO-251 Composant électronique en stock

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Référence fabricant

DID3A2N65

Marque nom

Original

Description

MOSFET IPAK N 650V 3.2A

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-251

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DID3A2N65
Marque nom
Original
Description
MOSFET IPAK N 650V 3.2A
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-251
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
3,2 A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
2,6 ohms à 2 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
581 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
En vrac
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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