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Transistors DMN10H6D2LFDB-13 6-UDFN à puce exposée – Achetez en ligne des composants électroniques originaux

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Caractéristiques

Référence fabricant

DMN10H6D2LFDB-13

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

6-UDFN avec pad exposé

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DMN10H6D2LFDB-13
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
6-UDFN avec pad exposé
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
700mW (Ta)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
270mA (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
6 ohms à 190 mA, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
1,2 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
41pF @ 50V
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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