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Transistors DMT10H9M9LPSW-13 Composants électroniques en stock

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DMT10H9M9LPSW-13

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Original

Description

MOSFET BVDSS : 61 V~100 V POWERDI50

Point d'origine

China

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DMT10H9M9LPSW-13
Marque nom
Original
Description
MOSFET BVDSS : 61 V~100 V POWERDI50
Point d'origine
China
Package/Boîte
-
Température de fonctionnement
-
Série
*
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
-
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
-
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type de montage
Standard
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
-
Technologie
-

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vente Unités
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1X1X1 cm
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