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Transistors Die GPI65030DFN Composants électroniques en stock

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Caractéristiques

Référence fabricant

GPI65030DFN

Marque nom

Original

Description

GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8

Point d'origine

China

Package/Boîte

Matrice

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
GPI65030DFN
Marque nom
Original
Description
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
Point d'origine
China
Package/Boîte
Matrice
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
30A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
1,2 V à 3,5 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5,8 nC @ 6 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
241 pF @ 400 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
6V
Vgs (Max)
+7,5 V, -12 V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
Canal N
Technologie
GaNFET (nitrure de gallium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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