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Transistors FDB0300N1007L TO-263-7 Composants de circuits électroniques Service complet original

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100-3 099 pièce
1,36 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

FDB0300N1007L

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-263-7

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
FDB0300N1007L
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-263-7
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
PowerTrench
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
200A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
3 mOhms à 26 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
8295 pF @ 50 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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