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Transistors GA10SICP12-263 TO-263-7 Acheter des composants électroniques en ligne Canal Fabricant

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Référence fabricant

GA10SICP12-263

Marque nom

Original

Description

TRANS SJT 1200V 25A D2PAK

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-263-7

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
GA10SICP12-263
Marque nom
Original
Description
TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-263-7
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
25A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
100 mOhms à 10 A
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1403 pF à 800 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
-
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tube
Type de FET
-
Technologie
SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs