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Transistors IRL6283MTRPBF DIRECTFET MD Composants électroniques originaux

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100-3 099 pièce
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≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

IRL6283MTRPBF

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 20V 38A DIRECTFET

Point d'origine

China

Package/Boîte

DIRECTFET MD

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRL6283MTRPBF
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 20V 38A DIRECTFET
Point d'origine
China
Package/Boîte
DIRECTFET MD
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
HEXFET, StrongIRFET
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
38A (Ta), 211A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
0,75 mOhm à 50 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,1 V à 100 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
158 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
8292 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
2,5 V, 4,5 V
Vgs (Max)
±12V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.1 kg

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