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Transistors IRLU8203PBF IPAK Composant électronique en stock

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Caractéristiques

Référence fabricant

IRLU8203PBF

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 30V 110A I-PAK

Point d'origine

China

Package/Boîte

IPAK

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Type de montage
Norme
FET Caractéristique
-
Package/Boîte
IPAK
Description
MOSFET N-CH 30V 110A I-PAK
Référence fabricant
IRLU8203PBF
Marque nom
Original
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
HEXFET
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
110A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
6,8 mOhms à 15 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2430 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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