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Transistors IXFN120N65X2 SOT-227B Composant électronique d'origine

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29,65 €
100-3 099 pièce
14,83 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

IXFN120N65X2

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B

Point d'origine

China

Package/Boîte

SOT-227B

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IXFN120N65X2
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 650V 108A SOT227B
Point d'origine
China
Package/Boîte
SOT-227B
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
HiPerFET, Ultra X2
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
108A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
24 mOhms à 54 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5,5 V à 8 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
15 500 pF à 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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