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Transistors IXFN75N120SK SOT-227B Acheter des composants électroniques en ligne en stock

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IXFN75N120SK

Marque nom

Original

Description

SIC ET DISCRET MULTICHIP

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China

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SOT-227B

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Référence fabricant
IXFN75N120SK
Marque nom
Original
Description
SIC ET DISCRET MULTICHIP
Point d'origine
China
Package/Boîte
SOT-227B
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
75A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
27 mOhms à 50 A, 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,6 V à 18 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
158 nC @ 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
4820 pF à 1000 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
15V
Vgs (Max)
+15V, -4V
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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