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Transistors MSCSM120X10CTYZBNMG Module Composants Électroniques Composants Circuits Intégrés Service Complet Original

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0,6929 €
100-3 099 pièce
0,351 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

MSCSM120X10CTYZBNMG

Marque nom

Original

Description

MOSFET 6N-CH 1200V 28A

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
MSCSM120X10CTYZBNMG
Marque nom
Original
Description
MOSFET 6N-CH 1200V 28A
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
116W (Tc), 196W (Tc)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
28A (Tc), 49A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
100 mΩ à 15 A, 20 V, 50 mΩ à 40 A, 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,8 V à 1 mA, 2,7 V à 2 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC à 20 V, 137 nC à 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
838pF à 1000V, 1990pF à 1000V
Configuration
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Tube
Technologie
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
6 canaux N (pont triphasé)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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