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Module de transistors APTGLQ50VDA65T3G Composant électronique d'origine

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41,64 €
100-3 099 pièce
20,83 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

APTGLQ50VDA65T3G

Marque nom

Original

Description

MODULE IGBT 650V 70A 175W SP3F

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
APTGLQ50VDA65T3G
Marque nom
Original
Description
MODULE IGBT 650V 70A 175W SP3F
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
70 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
650 V
Courant-coupure de collecteur (Max)
50 µA
Puissance Max
175 W
Type IGBT
Trench Field Stop
Configuration
Double Boost Hachoir
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
3,1 nF @ 25 V
Entrée
Standard
Thermistance NTC
Oui
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
En vrac
Type d'IGBT
Arrêt de tranchée
Configuration
Hachoir à double accélération
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
70 A
Puissance - Max
175 W
Entrée
Norme

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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