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Module de transistors BSM35GD120DN2, acheter en ligne, composants électroniques, distributeur agréé

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Référence fabricant

BSM35GD120DN2

Marque nom

Original

Description

IGBT MOD 1200V 50A 280W

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
BSM35GD120DN2
Marque nom
Original
Description
IGBT MOD 1200V 50A 280W
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
50 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
1200 V
Courant-coupure de collecteur (Max)
-
Puissance Max
280 W
Type IGBT
NPT
Configuration
Inverseur Triphasé
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
2 nF @ 25 V
Entrée
Standard
Thermistance NTC
Non
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Plateau
Type d'IGBT
NPT
Configuration
Onduleur triphasé
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
50 A
Puissance - Max
280 W
Entrée
Norme

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