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Module de transistors GCMX020A120B2H1P Acheter des composants électroniques en ligne Service complet original

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Référence fabricant

GCMX020A120B2H1P

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Original

Description

MOSFET 4N-CH 1200V 102A

Point d'origine

China

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Module

Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
GCMX020A120B2H1P
Marque nom
Original
Description
MOSFET 4N-CH 1200V 102A
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
333W (Tc)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
102A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
28 mOhms à 50 A, 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 20mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
222nC @ 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5600pF à 800V
Configuration
4 N-Channel (Full Bridge)
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Plateau
Technologie
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
4 canaux N (pont complet)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs