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Module de transistors UFB25SC12E1BC3N Acheter des composants électroniques en ligne en stock

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UFB25SC12E1BC3N

Marque nom

Original

Description

MOSFET 4P-CH 1200V 36A MODULE

Point d'origine

China

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Module

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
UFB25SC12E1BC3N
Marque nom
Original
Description
MOSFET 4P-CH 1200V 36A MODULE
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
114W (Tc)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
36A (Tj)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
45 mOhms à 25 A, 12 V
Vgs (th) (Max) @ Id
6V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
42,5 nC à 15 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1450pF à 800V
Configuration
4 P-Channel (Full Bridge)
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
En vrac
Technologie
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
4 canaux P (pont complet)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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