Transistors NI-780-4S2S RF MOSFET GAN 48V NI780 A3G26H502W17SR3 BOM IC In Stock Electronic Kit Components
Transistors NI-780-4S2S RF MOSFET GAN 48V NI780 A3G26H502W17SR3 BOM IC In Stock Electronic Kit ComponentsAucun avis pour l'instant
Attributs
A3G26H502W17SR3Numéro de Type
Châssis MountType de montage
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
NI-780-4S2SPackage / Case
Description:RF MOSFET GAN 48V NI780
Package:Tape & Reel (TR)
Technology:GaN
Configuration:2 N-Channel
Frequency:2.496GHz ~ 2.69GHz
Gain:13.1dB
Caractéristiques du produit
Numéro de Type
A3G26H502W17SR3
Type de montage
Châssis Mount
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Package / Case
NI-780-4S2S
Description
RF MOSFET GAN 48V NI780
Package
Tape & Reel (TR)
Technology
GaN
Configuration
2 N-Channel
Frequency
2.496GHz ~ 2.69GHz
Gain
13.1dB
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
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100 - 3 099 pièce
66,44 €
>= 3 100 pièce
33,23 €
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A3G26H502W17SR3
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