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Transistors NTTFD1D8N02P1E 8-PowerWDFN Acheter des composants électroniques en ligne en stock

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NTTFD1D8N02P1E

Marque nom

Original

Description

MOSFET, PUISSANCE, 25V DOUBLE CANAL N

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-PowerWDFN

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NTTFD1D8N02P1E
Marque nom
Original
Description
MOSFET, PUISSANCE, 25V DOUBLE CANAL N
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-PowerWDFN
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
PowerTrench
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
800mW (Ta), 900mW (Ta)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
25V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
11A (Ta), 21A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
4,2 mΩ à 15 A, 10 V, 1,4 mΩ à 29 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 190µA, 2V @ 310µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5,5 nC à 4,5 V, 17 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
873pF à 15V, 2700pF à 15V
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
En vrac
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double) asymétrique

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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