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Transistors NVMFWS040N10MCLT1G 5-DFNW Composant électronique Distributeur agréé

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100-3 099 pièce
0,3717 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

NVMFWS040N10MCLT1G

Marque nom

Original

Description

PTNG 100V LL SO8FL

Point d'origine

China

Package/Boîte

5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NVMFWS040N10MCLT1G
Marque nom
Original
Description
PTNG 100V LL SO8FL
Point d'origine
China
Package/Boîte
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
6,5 A (Ta), 21 A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
38 mOhms à 5 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 26µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8,3 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 50 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en surface, flanc mouillable
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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