Transistors NXH010P120M3F1PTG Module Electronic Circuit Components Original
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Attributs
Châssis MountType de montage
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
NXH010P120M3F1PTGNuméro de Type
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
ModulePackage / Case
Description:MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Package:Tray
Technology:Silicon Carbide (SiC)
Configuration:2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristiques du produit
Type de montage
Châssis Mount
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Numéro de Type
NXH010P120M3F1PTG
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Package / Case
Module
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Package
Tray
Technology
Silicon Carbide (SiC)
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
100 - 3 099 pièce
59,02 €
>= 3 100 pièce
29,52 €
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NXH010P120M3F1PTG
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