Transistors Online Electronics Components Shopping BOM IC In Stock 4-DFN-EP (8x8) TW123V65C,LQ N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.123 OH
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Attributs
Montage en SurfaceType de montage
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
TW123V65C,LQNuméro de Type
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
4-DFN-EP (8x8)Package / Case
Description:N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.123 OH
Package:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type:N-Channel
Technology:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Caractéristiques du produit
Type de montage
Montage en Surface
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Numéro de Type
TW123V65C,LQ
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Package / Case
4-DFN-EP (8x8)
Description
N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.123 OH
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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Description des produits par le fournisseur
100 - 3 099 pièce
7,00 €
>= 3 100 pièce
3,51 €
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TW123V65C,LQ
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