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Transistors PG-HSOF-8-2 IPT60R065S7XTMA1 Acheter des composants électroniques en ligne Canal Fabricant

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Référence fabricant

IPT60R065S7XTMA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-HSOF-8-2

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IPT60R065S7XTMA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-HSOF-8-2
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
CoolMOSS7
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
600 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
8A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
65 mOhms à 8 A, 12 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V à 490 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC à 12 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1932 pF à 300 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
12V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
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1X1X1 cm
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