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Transistors PowerSO-10RF à base exposée PD20010TR-E Composants électroniques Service complet original

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Référence fabricant

PD20010TR-E

Marque nom

Original

Description

MOSFET RF LDMOS 13,6 V PWRSO-10RF

Point d'origine

China

Package/Boîte

PowerSO-10RF, pastille inférieure exposée (2 broches formées)

Série

-

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
PD20010TR-E
Marque nom
Original
Description
MOSFET RF LDMOS 13,6 V PWRSO-10RF
Point d'origine
China
Package/Boîte
PowerSO-10RF, pastille inférieure exposée (2 broches formées)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Fréquence-Transition
2GHz
Courant nominal (ampères)
5A
Alimentation-Sortie
10W
Tension Nominale
40 V
Configuration
-
Type de montage
Standard
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
LDMOS
Configuration
-
Fréquence
2GHz
Gain
11dB

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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