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Transistors RJK5012DPP-MG # Composant électronique T2 TO-220FN, service complet original

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100-3 099 pièce
0,711 €
≥3 100 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

RJK5012DPP-MG#T2

Marque nom

Original

Description

RJK5012DPP - MOSFET canal N

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-220FN

Température de fonctionnement

150°C

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
RJK5012DPP-MG#T2
Marque nom
Original
Description
RJK5012DPP - MOSFET canal N
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-220FN
Température de fonctionnement
150°C
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
500 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
12A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
620 mOhms à 6 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,5 V à 1 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Type de montage
À travers le trou
Emballage
En vrac
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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