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Transistors RRS100P03HZGTB 8-SOP Composants électroniques en stock

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Référence fabricant

RRS100P03HZGTB

Marque nom

Original

Description

MOSFET de puissance PCH -30V -10A.RRS1

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-SOP

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
RRS100P03HZGTB
Marque nom
Original
Description
MOSFET de puissance PCH -30V -10A.RRS1
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-SOP
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
10A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
12,6 mOhms à 10 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 1 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3600 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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