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Transistors SH68N65DM6AG 9-PowerSMD Composants Électroniques Originaux

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100-3 099 pièce
10,31 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

SH68N65DM6AG

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 650V 64A 9ACEPACK

Point d'origine

China

Package/Boîte

9-PowerSMD

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SH68N65DM6AG
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 650V 64A 9ACEPACK
Point d'origine
China
Package/Boîte
9-PowerSMD
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
ECOPACK
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
379W (Tc)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
64A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
41 mOhms à 23 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,75 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
116nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5900pF à 100V
Configuration
2 N-Channel (Half Bridge)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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