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Transistors SIJA54ADP-T1-GE3 PowerPAK SO-8 Composant électronique d'origine

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1,33 €
100-3 099 pièce
0,6688 €
≥3 100 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

SIJA54ADP-T1-GE3

Marque nom

Original

Description

N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE

Point d'origine

China

Package/Boîte

PowerPAK SO-8

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SIJA54ADP-T1-GE3
Marque nom
Original
Description
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Point d'origine
China
Package/Boîte
PowerPAK SO-8
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
TrenchFET Gen IV
Code date de fabrication
NEW
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
40 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
35.4A (Ta), 126A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3850 pF @ 20 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Type de montage
Montage en Surface
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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