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Transistors SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 SCTH70N120G2V-7 Authorized Distributor Electronic Integrated Circuits H2PAK-7

Note de la boutique :5.0
(1 avis)

Attributs

Montage en SurfaceType de montage
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
SCTH70N120G2V-7Numéro de Type
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
H2PAK-7Package / Case
Description:SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Package:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type:N-Channel
Technology:SiCFET (Silicon Carbide)

Caractéristiques du produit

Type de montage
Montage en Surface
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Numéro de Type
SCTH70N120G2V-7
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Package / Case
H2PAK-7
Description
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

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Description des produits par le fournisseur

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100 - 3 099 pièce
0,5678 €
>= 3 100 pièce
0,2883 €

Spécification

SCTH70N120G2V-7

Expédition

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