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Transistors SOT-227B IXFN110N85X Acheter des composants électroniques en ligne Distributeur agréé

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Référence fabricant

IXFN110N85X

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B

Point d'origine

China

Package/Boîte

SOT-227B

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IXFN110N85X
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
Point d'origine
China
Package/Boîte
SOT-227B
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
HiPerFET, Ultra X
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
850 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
110A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
33 mOhms à 55 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5,5 V à 8 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
425 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
17 000 pF à 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.100 kg

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Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs