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Transistors TO-253-4, TO-253AA NE85639-T1-R28-A Composants électroniques en stock

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Caractéristiques

Référence fabricant

NE85639-T1-R28-A

Marque nom

Original

Description

Transistor RF NPN 12V 9GHz SOT-143

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-253-4, TO-253AA

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NE85639-T1-R28-A
Marque nom
Original
Description
Transistor RF NPN 12V 9GHz SOT-143
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-253-4, TO-253AA
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
100mA
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
12V
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 à 20 mA, 10 V
Puissance Max
200mW
Facteur de bruit
1,1 dB à 1 GHz
Transistor Type
NPN
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de transistor
NPN
Tension - Rupture collecteur-émetteur
12V
Fréquence - Transition
9GHz
Puissance - Max
200mW
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
100mA

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs