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Transistors TO-263 PSMB032N08NS1_R2_00601 Composants Électroniques Fabricant Canal

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1,91 €
100-3 099 pièce
0,954 €
≥3 100 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

PSMB032N08NS1_R2_00601

Marque nom

Original

Description

MOSFET 80V / 3,4 MOHM / MV

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-263

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
PSMB032N08NS1_R2_00601
Marque nom
Original
Description
MOSFET 80V / 3,4 MOHM / MV
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-263
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
80 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
161A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
3,4 mOhms à 50 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,75 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 7 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
7430 pF @ 40 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
7V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs